ASTM F617-2000 测量MOSFET线性临界电压的标准试验方法
作者:标准资料网
时间:2024-05-17 04:56:32
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforMeasuringMOSFETLinearThresholdVoltage
【原文标准名称】:测量MOSFET线性临界电压的标准试验方法
【标准号】:ASTMF617-2000
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2000
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:drainleakagecurrent;drainvoltage;linearthresholdvoltage;MOSFET;n-channel;p-channel
【摘要】:1.1ThistestmethodcoversthemeasurementofMOSFET(seeNote1)linearthresholdvoltageunderverylowsweeprateord-cconditions.Itisad-cconductancemethodapplicableinthelinearregionofMOSFEToperationwhereadrainvoltageV
【原文标准名称】:测量MOSFET线性临界电压的标准试验方法
【标准号】:ASTMF617-2000
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2000
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:drainleakagecurrent;drainvoltage;linearthresholdvoltage;MOSFET;n-channel;p-channel
【摘要】:1.1ThistestmethodcoversthemeasurementofMOSFET(seeNote1)linearthresholdvoltageunderverylowsweeprateord-cconditions.Itisad-cconductancemethodapplicableinthelinearregionofMOSFEToperationwhereadrainvoltageV
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